• Українська
  • English

< | >

Список № 8 Том. 62    УФЖ 2017, Том. 62, № 8, стp. 695-700
         Стаття тільки англійською

Рашид Х.С.1,2, Ахмед Н.М.1, Матджафрі М.З.1

1 Institute of Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory (INOR),
Universiti Sains Malaysia, School of Physics
(Penang, Malaysia)
2 Department of Physics, College Of Education, Al-Mustansiriya University
(Baghdad, Iraq)

Новий ZnO/Au/ZnO польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Український

Абстракт: ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) багатошаровi структури рiзної товщини утворенi РЧ i ПТ-магнетронним розпиленням i потiм використанi як широкий затвор у польовому транзисторi
для вимiрювання рН. Дослiджено їх структуру, оптичнi та
електричнi властивостi. Товщина структур впливає на рН-чутливiсть, яка росте вiд 0,25 A1/2/pH до 0,3 A1/2/pH
в областi насичення i вiд 50 мВ/pH до 66,66 мВ/pH на лiнiйнiй дiлянцi на вiдмiну вiд випадку з гiстерезисом, коли
чутливiсть зменшується вiд 10,11 мВ до 9,87 мВ, якщо товщина зростає вiд (100/50/100) нм до (200/100/200) нм.

Ключові слова: EGFET, ZnO, hysteresis, multilayers, MOSFET.