• Українська
  • English

< | >

Список № 8 Том. 62    УФЖ 2017, Том. 62, № 8, стp. 688-694
         Стаття тільки англійською

Мельник П.В., Находкін М.Г., Федорченко М.І.

Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка
(Вул. Володимирська, 64/13, Київ 01601)

Вплив змін дефектних станів на властивості фотокатода Si–Gd–O

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Англійський

Абстракт: Методами фотоелектронної (hv = 2,3–10,2 еВ) та оже-електронної спектроскопiй дослiджено змiни електронних та емiсiйних властивостей фотокатода на основi багатошарової структури окислених атомiв Gd (iмовiрно Gd2O3) на пiдкладцi iз Si(100)
пiсля напилення на його поверхню додаткових шарiв атомiв Gd та бомбардування iонами Ar. Встановлено, що змiни властивостей фотокатода залежать вiд дефектностi
його приповерхневого шару i зумовленi змiною концентрацiї локалiзованих електронних станiв, розташованих в забороненiй зонi Gd2O3. Показано, що бомбардування iонами Ar та експозицiя в атомарному воднi катода Si–Gd–O може використовуватись
для керування його спектральними та емiсiйними характеристиками. Пiдтверджена
можливiсть використання запропонованої нами енергетичної схеми фотокатода для
якiсного аналiзу його властивостей.

Ключові слова: