• Українська
  • English

< | >

Список № 4 Том. 62    УФЖ 2017, Том. 62, № 4, стp. 318-325
         Стаття

Козинець О.В., Литвиненк C.В., Скришевський В.А.

Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка, Iнститут високих технологiй (Просп. Академiка Глушкова, 4г, Київ 03127; e-mail: alk@univ.kiev.ua)

Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основі “глибокого” p–n-переходу

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту: Український

Абстракт: В роботi обґрунтовано можливiсть використання кремнiєвого переходу для ефективних сенсорних структур. Показано, що в умовах опромiнення свiтлом з областi сильного поглинання фотострум суттєво залежить вiд рекомбiнацiйних характеристик та зарядового стану поверхнi у випадку оптимальних параметрiв переходу. Визначено, що товщина освiтлюваної областi для такої структури повинна перевищувати довжину дифузiї неосновних носiїв заряду. Визначено також, що бiльшiй довжинi дифузiї вiдповiдають бiльшi змiни фотоструму при адсорбцiї на робочiй поверхнi. З використанням числового моделювання проаналiзовано можливiсть змiни областi застосування переходу вiд фотоперетворювача до сенсорної структури при певному виборi його параметрiв. Обговорено фiзичнi механiзми, якi можуть пов’язувати змiни ефективної швидкостi iз процесами адсорбцiї полярних молекул. Cенсорнi властивостi запропонованих структур дослiджено для декiлькох аналiтiв. Експериментально продемонстровано придатнiсть такої структури для створення хiмiчних сенсорiв, якi мають функцiю селективностi та пiдтримують концепцiю електронного носу

Ключові слова:  сонячний елемент, кремнiєвий p–n-перехiд, фотострум, швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї.