• Українська
  • English

< | >

Список № 1 Том. 62    УФЖ 2017, Том. 62, № 1, стp. 166-171
         Стаття

Оленич І.Б., Монастирський Л.С., Коман Б.П.

Львiвський нацiональний унiверситет iм. Iвана Франка
(Вул. Драгоманова, 50, Львiв 79005; e-mail: iolenych@gmail.com)

Електричні властивості оксидокремнієвих гете-роструктур на основі поруватого кремнію

Розділ: Наносистеми
Оригінал тексту:  Український

Абстракт: Методами вольт-амперних характеристик i термоактивацiйної спектроскопiї вивчено процеси перенесення та релаксацiї носiїв заряду в оксидокремнiєвих гетероструктурах на основi поруватого кремнiю. Дослiджено температурнi залежностi провiдностi експериментальних структур в iнтервалi 80–325 К та визначено енергiю активацiї електропровiдностi. На основi температурних залежностей струму деполяризацiї розраховано енергетичний розподiл локалiзованих електронних станiв, якi впливають на процеси перенесення заряду у структурах на основi поруватого кремнiю. Проаналiзовано вплив поверхневого покриття поруватого шару тонкою плiвкою SiOx на його електричнi характеристики. Отриманi результати розширюють перспективу застосування оксидокремнiєвих наносистем.

Ключові слова: поруватий кремнiй, плiвка оксиду кремнiю, ВАХ, енергiя активацiї електропровiдностi, термостимульована деполяризацiя.