• Українська
  • English

< | >

Список № 7 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 7, стp. 612-618
         Стаття тільки англійською

Кримусь А.С., Мирончук Г.Л., Парасюк О.В.

Східноєвропейський Національний Університет ім. Лесі Українки
(43025, м. Луцьк, проспект Волі, 13; e-mail: post@univer.lutsk.ua)

Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичні властивості монокристалів AgGaGe3Se8

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Англійський

Абстракт:  У роботi дослiджено оптичнi властивостi монокристалiв тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Sn. Цi сполуки є широкозонними напiвпровiдниками (Еg ≈ 2,15–2,09 еВ при T = 300 К) p-типу провiдностi з оптичними параметрами, якi залежать вiд природи i концентрацiї легуючих домiшок. На основi запропонованої фiзичної моделi, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено iнтерпретацiю одержаних експериментальних результатiв.

Ключові слова:  халькогенідні кристали, оптичні властивості, енергія Урбаха.