• Українська
  • English

< | >

Список № 3 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 4, стp. 334-339          Стаття

Попович В.І.1, Євтушенко А.І.1, Литвин О.С.2, Романюк В.Р.2, Ткач В.М.3, Батурин В.А.4, Карпенко О.Є.4, Дранчук М.В.1, Клочков Л.О.1, Душейко М.Г.5, Карпина В.А.1, Лашкарьов Г.В.1

1 Iнститут проблем матерiалознавства iм. I.М. Францевича НАНУ
(Вул. Кржижановського, 3, Київ 03680; e-mail: popovych.vas@gmail.com)
2 Iнститут фiзики напiвпровiдникiв iм. В.Є. Лашкарьова НАНУ
(Просп. Науки, 45, Київ 03028)
3 Iнститут надтвердих матерiалiв iм. В.М. Бакуля НАНУ
(Вул. Автозаводська, 2, Київ 04074)
4 Iнститут прикладної фiзики НАНУ
(Вул. Петропавлiвська, 58, Суми 40000)
5 Нацiональний технiчний унiверситет України “КПI”
(Просп. Перемоги, 37, Київ 03056)

Вплив тиску аргону в камері осадження на властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, вирощених методом пошарового осадження при магнетронному розпиленні

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Український

Абстракт:  Плiвки ZnO:Al були осадженi на кремнiєвi та склянi пiдкладки методом пошарового осадження в високочастотному магнетронному розпиленнi при змiнi тиску аргону в камерi осадження вiд 0,5 до 2 Па. Дослiджено вплив тиску аргону в камерi осадження на структуру, оптичнi та електричнi властивостi плiвок ZnO:Al. Встановлено, що збiльшення тиску аргону призводить до зниження рухливостi електронiв у прозорих провiдних плiвках ZnO:Al та погiршення їх провiдних властивостей за рахунок розсiяння на границях зерен. Показано, що збiльшення поглинання вiльними носiями зi збiльшенням тиску аргону призводить до зниження прозоростi плiвок ZnO:Al у видимiй областi спектра випромiнювання.

Ключові слова: плiвки ZnO, легування алюмiнiєм, вплив тиску аргону, рентгенiвський дифракцiйний аналiз.

Література:
1. B. Szyszka, V. Sittinger, X. Jiang, R.J. Hong, W. Werner, A. Pflug, M. Ruske, and A. Lopp, Thin Solid Films 442, 179 (2003).
2. S. Flickyngerova, V. Tvarozek, and P. Gaspierik, J. Electr. Eng. 61, 291 (2010).
3. G.V. Lashkarev, V.A. Karpyna, V.I. Lazorenko, A.I. Ievtushenko, I.I. Shtepliuk, and V.D. Khranovskyy, Low Temp. Phys. 37, 226 (2011).
4. D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
5. W.T. Seeber, M.O. Abou-Helal, S. Barth, D. Beil, T. Ho¨oche, H.H. Afify, and S.E. Demian, Mater. Sci. Semicond. Process. 2, 45 (1999).
6. V. Khranovskyy, A. Ulyashin, G. Lashkarev, B.G. Svensson, and R. Yakimova, Thin Solid Films 516, 1396 (2008).
7. E.L. Papadopoulou, M. Varda, K. Kouroupis-Agalou, M. Androulidaki, E. Chikoidze, P. Galtier, G. Huyberechts, and E. Aperathitis, Thin Solid Films 516, 8141 (2008).
8. D. Jiles, Introduction to the Electronic Properties of Materials (Chapman and Hall, London, 1994).
9. S. Fernandez, A. Martinez-Steele, J.J. Gardai, and F.B. Naranjo, Thin Solid Films 517, 3152 (2009).
10. K. Ellmer and R. Wendt, Surf. Coat. Technol. 93, 21 (1997).
11. M. Saad and A. Kassis, Mater. Chem. Phys. 136, 205 (2012).
12. A. Ievtushenko, O. Khyzhun, I. Shtepliuk, V. Tkach, V. Lazorenko, and G. Lashkarev, Acta Phys. Pol. A 124, 858 (2013).
13. Jian-Wei Hoon, Kah-Yoong Chan, J. Krishnasamy, TeckYong Tou, and D. Knip, Appl. Surf. Sci. 257, 2508 (2011).
14. Z.A. Wang, J.B. Chu, H.B. Zhu, Z. Sun, Y.W. Chen, and S.M. Huang, Solid State Electron. 53, 1149 (2009).
15. J. Tauc, Amorphous and Liquid Semiconductors (Plenum Press, London, 1974).
16. S. Rahmane, M.A. Djouadi, M.S. Aida, N. Barreau, B. Abdallah, and N.H. Zoubir, Thin Solid Films 519, 5 (2010).
17. F. Urbach, Phys. Rev. 92, 1324 (1953).