• Українська
  • English

< | >

 

Оптичні та електрофізичні властивості гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si

Список № 3 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 3, стp. 251-258          Стаття

Виниченко В.А., Бученко В.В., Голобородько Н.С., Лендел В.В., Лушкін О.Є., Телега В.М.

Київський нацiональний унiверситет iм. Тараса Шевченка
(Вул. Володимирська, 64/13, Київ 01601; e-mail: vbuchenko@yandex.ua)

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Український

Абстракт:  У роботi розглянуто оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si з товщиною плiвок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення на структуровану поверхню кремнiю. Показано, що для плiвки товщиною 6 нм характерна наявнiсть декiлькох пiкiв оптичного поглинання, тодi як у структурi з товщиною 12 нм в тому ж спектральному дiапазонi цi максимуми вiдсутнi. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромiнювання на електрофiзичнi властивостi структур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si та показано, що вiдгук дослiджуваних структур на газове середовище пов’язаний з дiелектричною проникнiстю адсорбату. Результати даного дослiдження можна застосовувати при розробцi резистивних газових сенсорiв на основi плiвок 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si.

Ключові слова:  вольт-ампернi характеристики, спектр поглинання, тонкi плiвки, прозорi оксиди.

Література:
1. Y. Sato, R. Tokumaru, E. Nishimura, P. Song, Yu. Shigesato, K. Utsumi, and H. Iigusa, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1167 (2005).
2. G. Korotcenkov, Mater. Sci. Eng: B 139, 1 (2007).
3. B.R. Eggins, Biosensors: An Introduction (Wiley, Chichester, 1996).
4. An Introduction to Bioanalylical Sensors Techniques in Analytical Chemistry, edited by A.J. Cunningham (Wiley, Chichester, 1996).
5. Gas Sensors Principles, Operation, and Developments, edited by G. Sberveglieri (Kluwer, Dordrecht, 1992).
6. Semiconductor Sensors in Physico-Chemical Studies: Handbook of Sensors and Actuators, edited by L.Y. Kupriyanov (Elsevier, Amsterdam, 1996).
7. S.Y. Yurish, Digital Sensors and Sensor Systems: Practical Design (IFSA, Barcelona, 2011).
8. A. Ayeshamariam, M. Bououdina, and C. Sanjeeviraja, Mater. Sci. Semicond. Process. 16, 686 (2013).
9. L.A. Obvintseva, Ross. Khim. Zh. 52, 113 (2008).
10. S.I. Rembeza, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, and O.I. Borsyakova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 57 (2006).
11. S.I. Rembeza, Yu.V. Shmatova, T.V.Svistova, E.S. Rembeza, and N.N.Koshelev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 1213 (2012).
12. S.K. Tripathy, B.P. Hota, and V.S. Jahnavy, Zh. NanoElectron. Fiz. 5, 04055 (2013).
13. S.I. Rembeza, P.E. Voronov, B.M. Sinelnikov, and E.S. Rembeza, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 1538 (2011).
14. D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Zharkova, D.V. Terin, and E.I. Khasina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 834 (2005).
15. O.I. Bomk, L.G. Il’chenko, V.V. Il’chenko, A.M. Pinchuk, V.M. Pinchuk, G.V. Kuznetsov, V.I. Strykha, Sensor. Actuat. B 62, 131 (2000).
16. R. Balasundaraprabhua, E.V. Monakhova, N. Muthukumarasamyb, O. Nilsena, and B.G. Svenssona, Mater. Chem. Phys. 114, 425 (2009).
17. Dewei Chu, Yu Ping Zeng, Dongliang Jiang, and Yo. Masuda, Sensor. Actuat. B 137, 630 (2009).
18. Zhizhong Yuan, Dongsheng Li, Minghua Wang, Peiliang Chen, Daoren Gong, Peihong Cheng, and Deren Yang, Appl. Phys. Lett. 92, 121908 (2008).
19. H.B. Huo, C. Wang, F.D. Yan, H.Z. Ren, and M.Y. Shen, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4817 (2009).
20. L.G. Il’chenko, A.A. Chuiko, V.V. Lobanov, and V.V. Il’chenko, in Technical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC 2005) (Oxford, 2005), p. 200.
21. A.I. Belyaeva, A.A. Galuza, and S.N. Kolomiets, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 38, 1050 (2004).
22. O.I. Barchuk, A.A. Goloborodko, V.N. Kurashov, Y.A. Oberemok, and S.N. Savenkov, Proc. SPIE 6254, 62540W (2006).
23. O.I. Barchuk, T.V. Molebna, A.G. Chumakov, V.N. Kurashov, and V.V. Marjenko, Proc. SPIE 2648, 62540W (2006).
24. A.A. Goloborodko, M.V. Epov, L.Y. Robur, and T.V. Rodionova, Zh. Nano-Electron. Fiz. 6, 02002 (2014).
25. H. Fujiwara, Spectroscopic Ellipsometry. Principles and Applications (Wiley, Chichester, 2007).
26. L.A. Golovan’, V.Yu. Timoshenko, and P.K. Kashkarov, Usp. Fiz. Nauk 177, 619 (2007).
27. G.E. Jellison, T.E. Haynes, and H.H. Burke, Opt. Mater. 2, 105 (1993).
28. A.A. Goloborodko, Zh. Nano-Electron. Fiz. 5, 03048 (2013).
29. N.S. Goloborodko, V.M. Telega, and V.V. Il’chenko, in Abstratcts of the 8th International Scientific Conference “Electronics and Applied Physics” (Kyiv, 2012), p. 94.
30. Handbook of Chemical and Biological Sensors, edited by R.F. Taylor and J.S. Schultz (IOP Publishing House, Bristol, 1996).
31. V.V. Bolotov, V.E. Roslikov, E.A. Kurdyukova, A.V. Krivozubov, Yu.A.Sten’kin, and D.V. Cheredov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 109 (2012).
32. A. Fort, M. Mugnaini, S. Rocchi, M.B. Serrano-Santos, V. Vignoli, and R. Spinicci, Sensor. Actuat. B 124, 245 (2007).
33. O.M. Lovvik, S. Diplas, A. Romanyuk, and A. Ulyashin, Appl. Phys. 115, 083705 (2014).
34. N.S. Goloborodko and V.V. Ilchenko, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky, No. 3, 296 (2012).
35. M.G. Nakhodkin, Y.S. Musatenko, and V.N. Kurashov, Proc. SPIE 3402, 333 (1998).
36. A.O. Goloborodko, V.I. Grygoruk, M.M. Kotov, V.N. Kurashov, D.V. Podanchuk, and N.S. Sutyagina, Ukr. Fiz. Zh. 53, 946 (2008).
37. P.N. Krylov, R.M. Zakirova, and I.V. Fedotova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 47, 1421 (2013).
38. A.M. Gulyaev, Van Le Van, O.B. Sarach, and O.B. Mukhina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 742 (2008).
39. S.I. Rembeza, N.N. Koshelev, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, Yu.V. Shmatova, and Gang Xu, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 612 (2011).