• Українська
  • English

< | >

Список № 2 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 2, стp. 149-155         Стаття

Неймаш В.Б.1, Довбешко Г.І.1, Шепелявий П.Є.2, Данько В.А.2, Мельник В.В.3, Ісаєв М.В.3, Кузьмич A.Г.3

1Iнститут фiзики НАН України
(Просп. Науки, 46, Київ 03028; e-mail: neimash@gmail.com.)
2 Iнститут фiзики напiвпровiдникiв iм. В.Є. Лашкарьова НАН України
(Просп. Науки, 41, Київ 03028)
3 Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка, фiзичний факультет
(Вул. Володимирська, 64/13, Київ 01601)

Комбінаційне розсіювання світла в процесі індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Український

Абстракт:  Методом комбiнацiйного розсiювання свiтла рiзної потужностi поверхнею тонкоплiвкових структур Si–Sn–Si дослiджено процеси iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю. Аналiз спектрiв комбiнацiйного розсiювання використано для контролю температури, розмiру та концентрацiї кристалiв Si, що утворюються в матрицi аморфного Si в процесi вимiрювання спектрiв. Виявлено значне прискорення металом iндукованої кристалiзацiї при лазерному вiдпалi структур Si–Sn–Si порiвняно з вiдпалом у темрявi. Показано принципову можливiсть контролю в режимi “on line” розмiрiв i концентрацiї кристалiв Si в процесi їх формування.

Ключові слова: сонячнi елементи, тонкi плiвки, нанокристали, кремнiй, олово, металом iндукована кристалiзацiя.

Література: