• Українська
  • English

< | >

Список № 11 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 11, стp. 986-991
         Стаття тільки англійською

Войтович В.В.1, Руденко Р.М.1, Юхимчук В.О.2, Войтович М.В.2, Красько М.М.1, Колосюк А.Г.1, Поварчук В.Ю.1, Хацевич І.М.2, Руденко М.П. 3

1 Iнститут фiзики НАН України
(Просп. Науки, 46, Київ 03028; e-mail: vvoitovych@yahoo.com)
2 Iнститут фiзики напiвпровiдникiв iм. В.Є. Лашкарьова НАН України
(Просп. Науки, 45, Київ 03650)
3 Нiжинський державний унiверситет iменi Миколи Гоголя
(Вул. Крапив’янського, 2, Нiжин 16600)

Вплив олова на структурні перетворення тонкоплівкової субоксидної матриці кремнію

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Англійський

Абстракт:  Дослiджено процеси кристалiзацiї аморфного кремнiю (a-Si) в субоксиднiй матрицi aSiOxSn. Показано, що температура, при якiй починається процес кристалiзацiї, тим нижча, чим бiльше олова мiститься в a-SiOxSn плiвках. Для зразкiв з максимум олова (2% до об’єму SiOx) кристалiзацiя починається при температурi 500 °C, для зразкiв з середнiм значенням олова (1%) температура кристалiзацiї становить 800 °C i для зразкiв з мiнiмум олова (0,5%), процес кристалiзацiї a-Si починається при 1000 °C. З iншого боку, показано, що олово не впливає на процеси роздiлення фаз a-Si та SiO2 у дослiджуваних зразках в процесi вiдпалiв. З розрахункiв встановлено, що у a-SiOxSn плiвках з високим вмiстом олова (1 та 2%) в процесi кристалiзацiї a-Si формуються кристалiти кремнiю значно менших розмiрiв (d ≈ 5–7 нм) порiвняно iз нелегованими оловом зразками (d ≥ 10 нм). Запропоновано метало-iндукований механiзм кристалiзацiї а-Si, який передбачає наявнiсть металiчних кластерiв олова в SiOx, якi створюють умови для бiльш раннього переходу аморфної фази кремнiю в кристалiчну. Враховуючи експериментальнi данi, ми припускаємо, що у нашому випадку необхiдною умовою для початку кристалiзацiї а-Si є наявнiсть металiчних скупчень олова в SiOx, i має мiсце метало-iндукований механiзм кристалiзацiї

Ключові слова: кристалiзацiя, аморфний кремнiй, олово, кристалiти кремнiю нанорозмiрiв.