• Українська
  • English

< | >

Список № 10 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 10, стp. 923-928
         Стаття

Саченко А.В., Костильов В.П., Власюк В.М., Коркішко Р.М., Соколовський І.О., Черненко В.В.

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
(41, Prosp. Nauky, Kyiv 03680, Ukraine)

Особливості формування рекомбінаційного струму в області просторового заряду кремнієвих сонячних елементів

Розділ: М’яка речовина
Оригінал тексту:  Український

Абстракт: Дослiджено темновi ВАХ кремнiєвих сонячних елементiв з рiзними часами життя Шоклi–Рiда–Холла, якi визначались з спектральних залежностей внутрiшнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбiнацiйнi струми в областi просторового заряду (ОПЗ) формуються на основi часiв життя, менших, принаймнi на порядок, за об’ємнi часи життя. Це пояснено великою концентрацiєю дефектiв, якi приводять до появи глибоких рiвнiв, в ОПЗ дослiджуваних структур кремнiю. Оцiнено параметри глибоких рiвнiв, вiдповiдальних за рекомбiнацiю в ОПЗ.

Ключові слова: рекомбінаційний струм, область просторового заряду, кремнієві сонячні елементи, глибокі рекомбінаційні рiвнi.