• Українська
  • English

< | >

Список № 10 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 10, стp. 907-914
         Стаття тільки англійською

Бокотей О.В., Вакульчак В.В., Бокотей О.О., Небола І.І.

Uzhhorod National University
(46, Pidgirna Str., Uzhhorod 88000, Ukraine)

Прояв точкових дефектів в електронній структурі кристалів Hg3Te2Cl2

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту:  Англійський

Абстракт: Представлено результати розрахункiв в рамках теорiї функцiонала густини для дослiдження впливу точкових дефектiв на електронну структуру кристалiв Hg3Te2Cl2 з використанням моделi суперкомiрки [2 × 2 × 1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних та дефектних кристалiв Hg3Te2Cl2 в наближеннi локальної густини, використовуючи квантово-хiмiчний програмний пакет SIESTA. Дослiджуваний кристал є непрямозонним напiвпровiдником. Згiдно з аналiзом отриманих даних, величини непрямого та прямого переходiв становлять 2,628 еВ та 2,714 еВ вiдповiдно. Вплив дефектiв вакансiй на провiднi та оптичнiвластивостi кристалiв Hg3Te2Cl2 обговорюється в деталях. Дефектнi стани вакансiй телуру та хлору створюють додатковi енергетичнi рiвнi нижче дна зони провiдностi. Результати дослiдження показують, що тiльки вакансiї телуру створюють додатковi енергетичнi рiвнi в околi вершини валентної зони. Встановлено, що присутнiсть точкових дефектiв в кристалах Hg3Te2Cl2 змiнює напрямок оптичних переходiв i тому дефектний кристал є прямозонним напiвпровiдником. Одержано задовiльне узгодження з експериментальними даними.

Ключові слова: зонна струкутра, точкові дефекти, зона, смуга поглинання, оптичні переходи.