• Українська
  • English

< | >

Список № 1 Том. 61    УФЖ 2015, Том. 61, № 1, стp. 40-45    

    Стаття

Ільченко В.В., Костюкевич О.М., Лендєл В.В., Радько В.І., Голобородько Н.С.

1 Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка
(Вул. Володимирська, 64, Київ 01033; e-mail: mirror@ukr.net)

Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар’єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2О3 + 5% SnO2)

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту: Український

Абстракт: Проведено експериментальнi дослiдження електрофiзичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni – (95% In2О3 + 5% SnO2) – p-Si. Аналiз їх вольт- амперних характеристик, отриманих у рiзних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмiв крiзь зразки в присутностi пари етилового та iзопропiлового спиртiв. Для пояснення цих змiн розглянутi рiзнi механiзми протiкання струму крiзь гетероперехiд. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гiлок ВАХ даних зразкiв вiдiграють змiни висоти потенцiального бар’єра гетеропереходу, спричиненi змiною дiї сил електростатичного зображення в iнтерфейсi. А змiни дiї сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовленi впливом адсорбату на дiелектричну проникнiсть оксидних плiвок.

Ключові слова:  газовi сенсори, адсорбцiя, дiелектрична проникнiсть, електричнi сили зображення, бар’єр Шотткi.