• Українська
  • English

ISSN 2071-0194   УФЖ 2015, Том. 60, № 6, стp.538-545
Стаття тільки на анг. мові

Райчев О.Е.

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (пр. Науки 41, Київ 03680, Україна; e-mail: raichev@isp.kiev.ua)

Ефективний гамільтоніан і динаміка крайових станів в двовимірних топологічних ізоляторах в магнітних полях

Розділ: Наносистеми
Мова: Англійська

Абстракт: Магнiтне поле вiдкриває щiлину в спектрi крайових станiв двовимiрних топологiчних iзоляторiв, завдяки чому руйнується захист цих станiв вiд розсiювання назад. Щоб пов’язати властивостi цiєї щiлини з параметрами системи та вивчити динамiку електронiв в крайових станах при наявностi неоднорiдних потенцiалiв, розроблена теорiя ефективного гамiльтонiана. Ця аналiтична теорiя застосована для розгляду квантово-механiчних проблем проходження електронiв в крайових станах крiзь потенцiальнi сходинки i бар’єри та руху в постiйному електричному полi. Вплив магнiтного поля на опiр двовимiрних топологiчних iзоляторiв на основi HgTe квантових ям обговорено разом з порiвнянням до експериментальних даних.

Ключові слова: топологiчний iзолятор, HgTe квантова яма, крайовий стан, енергетична щiлина.