• Українська
  • English

ISSN 2071-0194   УФЖ 2015, Том. 60, № 6, стp.521-527
Стаття

Пагава Т.А., Чхартішвілі Л.С., Майсурадзе Н.І., Берідзе М.Г., Хочолава Д.З.

Грузинський технічний університет, Департамент інженерної фізики
(вул. М. Костава, 77, Тбілісі 0175, Грузія; e-mail: tpagava@gtu.ge)

Вплив ІЧ підсвічування на розсіювання електронів провідності в опромінених протонами з енергією 25 МеВ кристалах n-Si

Розділ: Тверде тіло
Мова: Російська

Абстракт: Дослiджуванi зразки монокристалiв n-Si з концентрацiєю електронiв N = 6 · 1013−3 опромiнювались протонами з енергiєю 25 МеВ при 300 К. Для дослiдження застосовували метод фото-Холл-ефекту. В опромiнених зразках спостерiгається аномально високе значення холлiвської рухливостi електронiв, що пояснюється утворенням в об’ємi кристала високопровiдних включень з омiчним переходом на межi з матрицею кристала. При деяких температурах iзохронного вiдпалу спостерiгається аномально високе розсiювання електронiв, яке зменшується монохроматичним IЧ пiдсвiчуванням iз заданою енергiєю фотонiв. Пiдсвiчування деiонiзує вториннi глибокi дефекти, якi електростатично взаємодiють та утворюються в процесi iзохронного вiдпалу навколо високопровiдних включень i екранують їх. Показано, що такими екрануючими дефектами є, в основному, A- i E-центри

Ключові слова: кремній n-типу, опромінення протонами, метод фото-Холл-ефекту.