• Українська
  • English

ISSN 2071-0186   УФЖ 2015, Том. 60, № 6, стp.511-520
Стаття

Єфремов О.О., Литовченко В.Г., Мельник В.П., Оберемок О.С., Попов В.Г., Романюк Б.М.

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв iм. В.Є. Лашкарьова НАН України
(Просп. Науки, 41, Київ 03028; e-mail: romb@isp.kiev.ua)

Механізми модифікації профілів розподілу домішок при мас-спектрометричному аналізі багатошарових наноструктур

Розділ: Тверде тіло
Мова: Українська

Абстракт: Проведено теоретичний аналiз механiзмiв, якi призводять до просторового перерозподiлу компонентiв твердотiльної мiшенi пiд дiєю iонного бомбардування. Виконано моделювання впливу iонно-променевого перемiшування (ion-beam mixing), форми кратера розпилення та шорсткостi поверхнi на результати мас-спектрометричних вимiрювань залежно вiд енергiї розпилюючих iонiв. Показано, що в дiапазонi енергiй iонiв 200–400 еВ вплив згаданих факторiв є мiнiмальним для розпилення багатошарових нанорозмiрних перiодичних структур Mo/Si, виготовлених методом магнетронного напилення шарiв молiбдену i кремнiю. Експериментальнi дослiдження профiлiв розподiлу домiшок i порiвняння їх з результатами моделювання дозволило встановити оптимальнi режими мас-спектрометричного аналiзу, досягти роздiльної здатностi по глибинi краще 1 нм та отримати профiлi розподiлу домiшок, максимально наближенi до реальних.

Ключові слова: моделювання, iонне розпилення, багатошаровi структури, профiлi розподiлу, мас-спектрометрiя.