• Українська
  • English

< | >

Список № 2 Том. 60    УФЖ 2015, Том. 60, № 2, стp. -    

   
Стаття тільки англійською

Горячко А., Кулик С.П., Мельник П.В., Находкiн М.Г.

Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка
(Проспект Академіка Глушкова 4-Г, Київ 03022; e-mail: andreandy2000@gmail.com)

Дослідження нанострутурованої поверхні Si(001)-c(8 X 8) методом скануючої тунельної мікроскопії

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту: Англійський

Абстракт: Реконструкцiя Si(001)-c(8 X 8), що спостерiгається в деяких випадках, є унiкальним наноструктурованим станом поверхнi Si(001). Вiн був одержаний внаслiдок внесення домiшок Cu в концентрацiях нижче межi чутливостi електронної спектроскопiї. Детальнi СТМ зображення демонструють, що в станi c(8 X 8) поверхня не є атомарно гладкою, натомiсть складається iз основних елементiв, якi належать двом послiдовним атомним шарам. Цими елементами є епiтаксiйнi аддимери Si в першому (поверхневому) шарi та подвiйнi димернi вакансiї в другому (приповерхневому) шарi кремнiєвого субстрату.

Ключові слова: кремній, поверхня, реконструкція, скануюча тунельна мікроскопія.