• Українська
  • English

< | >

Список № 2 Том. 60     УФЖ 2015, Том. 60, № 2, стp.120-129

    Стаття

Сологуб С.1, Борденюк I.1, Тегенкамп К.2, Пфнюр Х.2

1 Iнститут фiзики НАН України,
(Просп. Науки, 46, Київ 03028; e-mail: sologub@iop.kiev.ua)
2 Iнститут фiзики твердого тiла, унiверситет Ганновера iм. Лейбнiца
(Appelstra?e 2, 30167 Hannover, Germany)

Поверхневе розсiювання носiїв струму і поверхневі електронні стани

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту: Український

Абстракт: Наведений огляд експериментальних дослiджень розсiювання носiїв струму на атомночистих i вкритих моношарами водню (дейтерiю) поверхнях Mo(110) i W(110), яке вiдбувається за участю поверхневих електронних станiв, а також механiзмiв розсiювання носiїв струму спiн-поляризованих поверхневих електронних станiв епiтаксiйних наноплiвок Bi(111) з атомночистою i вкритою надмалими покриттями магнiтних i немагнiтних адатомiв поверхнею.

Ключові слова: поверхневе розсiювання носiїв струму, поверхневi електроннi стани, електронно-дiрковi перекидання, епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту, перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”, ефект Рашби, магнiтотранспорт.