• Українська
  • English

<Попередній номер | >

Список № 2 Том. 60    УФЖ 2015, Том. 60, № 2, стp. 97-103    

    Стаття

М.Г. Находкiн, М.I. Федорченко

Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка
(Вул. Володимирська, 64/13, Київ 01601)

Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 Х 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ

Розділ: Тверде тіло
Оригінал тексту: Український

Абстракт: Методами електронної спектроскопiї дослiджено змiну електронних властивостей поверхнi Si(100) при створеннi на нiй багатошарової структури окислених атомiв Gd. Показано, що внаслiдок ряду циклiв адсорбцiї атомiв Gd та атомарного кисню при кiмнатнiй температурi на поверхню Si(100)-2 Х 1 та вiдпалу отриманої структури при ≈ 600ºC робота виходу поверхнi зменшується вiд 4,8 еВ до значень, менших вiд 1 еВ. Встановлено, що зменшення роботи виходу зi збiльшенням циклiв обробки супроводжується окисленням атомiв Gd та Si i поступовим зменшенням концентрацiї Si в приповерхневiй областi. Отриманi результати пояснюються утворенням на поверхнi дипольного шару O–Gd.

Ключові слова: адсорбцiя, Gd, O, Si(100)-2 X 1, окислення, робота виходу, дипольний шар.