• Українська
  • English

< | >

Список № 10 Том. 60     УФЖ 2015, Том. 60, № 10, стp. 1007-1012    

Стаття

Лашко А.П.1, Лашко Т.М.1, Мартинишин В.О.2

1 Iнститут ядерних дослiджень НАН України
(Просп. Науки, 47, Київ 03680; e-mail: anatolii.lashko@gmail.com)
2 Київський нацiональний унiверситет iм. Тараса Шевченка
(Просп. Академiка Глушкова, 2, Київ 03022)

Дослідження розпаду 175Hf

Розділ: Ядра та ядерні реакції
Оригінал тексту: український

Абстракт: За допомогою магнiтного β-спектрометра типу  π√2  та двох коаксiальних HPGe-детекторiв помiрянi iнтенсивностi лiнiй електронiв внутрiшньої конверсiї та γ-променiв iз розпаду 175Hf (T1/2 = 70 днiв). Ґрунтуючись на цих результатах, розрахованi iнтенсивностi гiлок електронного захвату та log ft β-переходiв. Вперше отриманi обмеження для log ft β-переходiв на рiвнi 9/2 + 113,8 кеВ, 9/2- 396,3 кеВ та 9/2+ 546,6 кеВ 175Lu.

Ключові слова: радiоактивнiсть, 175Hf, γ-спектри, HPGe-детектори, внутрiшня кон-версiя, магнiтний спектрометр, iнтенсивностi γ-променiв, iнтенсивностi лiнiй електронiв внутрiшньої конверсiї, log ft.