• Українська
  • English

< | >

Список № 12 Том. 59    УФЖ 2015, Том. 59, № 12, стp. 1191-1200    

    Стаття

Ткач М.В., Сеті Ю.О., Гринишин Ю.Б.

Чернiвецький нацiональний унiверситет iм. Ю.Федьковича
(вул. Коцюбинського, 2, Чернiвцi 58012, Україна; e-mail: ktf@chnu.edu.ua)

Вплив обмежених поляризаційних фононів на електронний спектр трибар’єрної активної зони квантового каскадного детектора

Розділ: Нелінійні процеси
Оригінал тексту: Український

Абстракт: У моделi ефективних мас i прямокутних потенцiалiв для електронiв та в моделi поляризацiйного континууму для обмежених фононiв у трибар’єрнiй резонансно-тунельнiй наноструктурi отримано гамiльтонiан електрон-фононної системи у зображеннi чисел заповнення за всiма змiнними. Методом функцiй Грiна розраховано перенормований спектр електронiв у трибар’єрнiй резонансно-тунельнiй наноструктурi на основi GaAs-ям i AlxGa1−xAs-бар’єрiв при рiзних значеннях концентрацiї (x) Al. Встановлено, що при змiнi температури вiд 0 до 300 K, незалежно вiд концентрацiї Al, зi змiною геометричної конфiгурацiї трибар’єрної резонансно-тунельної наноструктури ширини обох нижнiх (робочих) квазiстацiонарних станiв збiльшуються, а енергiї змiщуються у низькоенергетичну область. Ширини i змiщення виявилися сильно нелiнiйними функцiями у залежностi вiд положення внутрiшнього бар’єра в трибар’єрнiй резонансно-тунельнiй наноструктурi.

Ключові слова: резонансно-тунельна наноструктура, квантовий каскадний детектор, електрон-фононна взаємодiя.