• Українська
  • English

< | >

Список № 10 Том. 59    УФЖ 2015, Том. 59, № 10, стp. 959-966    

    Стаття

Наджафов Б.А.1, Дадашова В.В.2

1 Институт Радиационных Проблем Национальной Академии Наук Азербайджана
(Ул. Б. Вахабзаде, 9, Баку AZ1143; e-mail: bnajafov@rambler.ru, bnajafov@physics.ab.az, rovshan63@rambler.ru)
2 Бакинский Государственный Университет
(Ул. З. Халилова, 23, Баку, AZ1143)

Оптоелектронні властивості в гідрогенізованих тонких плівках α-Si1–xGex:H (x = 0–1), отриманих плазмохімічним осадженням

Розділ: Оптика, лазери, квантова електроніка
Оригінал тексту: Російський

Абстракт: Проаналiзовано можливостi застосування технологiї плазмохiмiчного осадження плiвок α-Si1−xGex:H (x = 0–1), нелегованих i легованих PH3 i B2H6, для використання їх в p-i-n-структурах сонячних елементiв. Розглянуто оптичнi, електричнi, фотоелектричнi властивостi, також визначено кiлькiсть водню, що мiститься в данiй плiвцi. Знайдено, що властивостi плiвки сильно залежать вiд складу i рiвня гiдрогенiзацiї. Кiлькiсть атомiв водню в плiвках варiювали шляхом змiни складiв газової сумiшi, i вимiрювали IК поглинання для плiвок α-Si:H i a-Ge:H. Фотопровiднiсть розраховано за спiввiдношенням: JФ= AFγ при γ = 1. Концентрацiю водню в плiвках визначено переважним додатковим параметром – Р. Водночас NH визначено за допо- могою коливальної моди розтягування i моди кочення для плiвок α-Si1−xGex:H (x = 0–1). На основi плiвок α-Si:H i α-Si0,88Ge0,12:H виготовлено тришаровi сонячнi елементи з площею елемента 1,3 см2 i ефективнiстю (ξ) 9,5%.

Ключові слова:  гідрогенізовані тонкі плівки, плазмохімічне осадження, фотопровідність.